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PTP5N65-E

Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge : 15 nC (Typ.)
●BVDSS=650V,ID=4.5A
●Lower RDS(on) : 2.7Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested

PTP2N80

800V N-Channel MOSFET
Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge :Qg= 13nC (Typ.)
●BVDSS=800V,ID=3A
●RDS(on) : 5 Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested

PTP01H11

Description
The PTP01H11 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

General Features
● VDS =100V,ID =110ARDS(ON) <9mΩ @ VGS=10V
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation
● Special process technology for high ESD capability

Application
● Power switching application
● Hard switched and high frequency circuits
● Uninterruptible power supply

PTP01H10

Description
The PTP01H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
General Features

● VDS = 100V,ID =100ARDS(ON) < 11mΩ @ VGS=10V (Typ:9.9mΩ)
● Special process technology for high ESD capability
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation

Application
● Power switching application
● Hard switched and high frequency circuits
● Uninterruptible power supply

PTF12N60

Features
■ RDS(on) (Max 0.70 Ω )@VGS=10V
■ Gate Charge (Typical 50nC)
■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
■ 100% Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range (150°C)

PTF10N65

Features
■ RDS(on) (Typical 0.70 Ω )@VGS=10V
■ Gate Charge (Typical 45nC)
■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
■ 100% Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range (150°C)

General Description
This Power MOSFET is produced using Wisdom’s advanced
planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been
especially designed to minimize on-state resistance, have a high
rugged avalanche characteristics. These devices are well suited
for high efficiency switch mode power supplies, active power factor
correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

PTF10N60

Features
10.0A, 600V, RDS(on) = 0.750Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 48nC)
High ruggedness
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability

PTF8N60

Features
■ RDS(on) (Max 1.2 Ω )@VGS=10V
■ Gate Charge(Typical 28nC)
■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
■ 100% Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range(150°C)

PTF5N60

Features
■4.5A,600v,RDS(on)=2.5Ω@VGS=10V
■ Gate charge (Typical 17nC)
■ High ruggedness
■Fast switching
■100% AvalancheTested
■Improved dv/dt capability

General Description

This Power MOSFET is producedusingPHILOP’s advancedplanar stripe, DMOS technology.This latest technology has beenespecially designed to minimizeon-state resistance, have a highrugged avalanche characteristics, suchas fastswitching time,lowon resistance.low gate charge and especially excellentavalanchecharacteristics.Thispower MOS ET is usually usedatF ACadaptors, on the batterychargerand SMPS

PTF3N80

Features
■ RDS(on) (Max 5.0 Ω )@VGS=10V
■ Gate Charge(Typical 15.0nC)
■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
■ 100% Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range(150°C)

PTD7580

Description
The PTD7580 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications.
General Features
● VDS = 75V,ID =80ARDS(ON) <8mΩ @ VGS=10V(Typ:6.5mΩ)
● Special process technology for high ESD capability
● Special designed for convertors and power controls
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation

Application
● Power switching application
● Hard switched and high frequency circuits
● Uninterruptible power supply

PTD630

200V N-Channel MOSFET
Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.)
●BVDSS=200V,ID=9A
●Lower RDS(on) : 0.4 Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested

PTD50N03

60A , 25 V N-Channel MOSFET
Features
●RDS(ON) = 5.2mΩ @VGS = 10 V
●Low capacitance
●Optimized gate charge
●Fast switching capability
●Avalanche energy specified

PTD30P55

DescriptionThe PTD30P55 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =-55V,ID =-30ARDS(ON) <40mΩ @ VGS=-10V
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation

Application
●Power switching application
●Hard switched and high frequency circuits
●Uninterruptible power supply

PTD7N65

650V N-Channel MOSFET
Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge : 16 nC (Typ.)
●BVDSS=650V,ID=6.5A
●Lower RDS(on) : 1.5Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested

PTD6N65

650V N-Channel MOSFET
Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge : 16 nC (Typ.)
●BVDSS=650V,ID=6A
●Lower RDS(on) : 1.5Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested

PTD6N60

600V N-Channel MOSFET
Features
● Low Intrinsic Capacitances
● Excellent Switching Characteristics
● Extended Safe Operating Area
● Unrivalled Gate Charge : 16 nC (Typ.)
● BVDSS=600V,ID=6A
● Lower RDS(on) : 1.5Ω (Max) @VG=10V
● 100% Avalanche Tested

PTD5N65

650V N-Channel MOSFET
Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge : 15 nC (Typ.)
●BVDSS=650V,ID=4.5A
●Lower RDS(on) : 2.5Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested

PTD5N50

N-Channel MOSFET
Features
■ RDS(on) (Max 1.5Ω) @ VGS=10V
■ GateCharge(Typical 20nC)
■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
■ 100% Avalanche Tested
■MaximumJunctionTemperatureRange(150°C)

PTD2N80

HIGH VOLTAGE N-Channel MOSFET600V N-Channel MOSFET

Features
●Low Intrinsic Capacitances
●Excellent Switching Characteristics
●Extended Safe Operating Area
●Unrivalled Gate Charge :12 nC (Typ.)
●BVDSS=800V,ID=2A
●Lower RDS(on) : 6.3 Ω (Max) @VG=10V
●100% Avalanche Tested

PTR1N60

N-CHANNEL 600V - 8 W - 1A DPAK / IPAK / TO-92Power MOSFET
●TYPICAL RDS(on) = 8 W
●EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
● 100% AVALANCHE TESTED
●GATE CHARGE MINIMIZED
●NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK

APPLICATIONS
●SWITCH MODE LOW POWER SUPPLIES(SMPS)
●LOW POWER, LOW COST CFL (COMPACTFLUORESCENT LAMPS)
● LOW POWER BATTERY CHARGERS

PT401

產品描述
PT401是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流控制器。
PT401基于“自適應死區時間控制”技術,可支持連續模式(CCM)、斷續模式(DCM)和準諧振工作模式(QR)。同時內部集成參考電壓為1.25V的誤差放大器,可替代外部TL431,降低了系統成本。
PT401集成欠壓保護功能與原副邊共通保護功能。

主要特點
●反激拓撲副邊同步整流控制器
●支持CCM、DCM和準諧振工作模式
●<300uA超低靜態電流
●內置1.25V(±1.5%)參考電壓和誤差放大器,無需TL431
●集成多種保護
  ■VCC欠壓保護(UVLO)
  ■原副邊共通保護
●封裝類型SOT23-6

典型應用
●工業電源系統
●電池供電系統
●反激適配器

PT35XX

概述
PT35XX是一款用于開關電源的高效率同步整流控制IC。其具備較高的集成度,在有效的提升開關電源的轉換效率的同時,減少了外圍元器件的應用。
PT35XX可用于DCM/QR開關電源系統。該電路內置45V的功率管,在系統中替代次級肖特基管,并提高整個系統的工作效率。具有開啟閥值電壓低、開關速度快和反向恢復時間短的特點。
PT35XX具有極低的靜態工作損耗和自供電技術。電路采用SOP8的標準封裝形式。

特點
支持DCM和QR模式
● 內部集成低內阻的N溝道功率MOSFET
●開關轉換速度快、反向恢復時間短
●特有的自供電技術,無需外部電源供電
●內置多重保護
●外圍應用器件少
● 靜態功耗小

特點
●支持DCM和QR模式
● 內部集成低內阻的N溝道功率MOSFET
●開關轉換速度快、反向恢復時間短
●特有的自供電技術,無需外部電源供電
● 內置多重保護
●外圍應用器件少
●靜態功耗小

應用
●電源適配器、電源轉換器等
●小型數碼產品的輔助電源等

PT5222

概述
PT5222為USB鎳鎘/鎳氫充電管理IC,現在主要應用的市場為電子玩具USB充電器。本芯片為一種高效率、控制穩定可靠的充電管理電路。整個電路通過檢測電池電壓控制充電電流大小。電路采用-△V快速充電終止方式,保證電池的充飽率達到100%。芯片內置了高精度的 ADC,實時對電池電壓和充電電流進行準確采樣,并經過智能算法處理,從而高效、可靠的完成充電。

特性
●給鎳鎘/鎳氫電池3、4節電池充電。
●芯片的工作電壓為5V,供電范圍為3.5V~7.5V。
●芯片設計了內置的10bit ADC可對采樣的電池電壓和電流進行模數轉換,并輸出數字信號到算術邏輯單元檢測。
●充電截止方式采用-△V檢測方式。
●IC內置自動電流調節器,當升壓電壓升到最大或輸入電壓被拉低時具
有電流自動調節功能,電流自動調節功能會將電流調至一個最大電流。
●IC內部可以檢測USB供電電壓大小,當USB電源電壓被拉低到某個閾值時會減小充電電流以保護USB電源的安全,USB電源電壓升起后再增大充電電流。
●IC具有上電輸出短路報警功能,以保證電池、及IC自身安全。
●IC內部具有過溫保護功能,當芯片內部溫度過高時會關閉輸出,溫度滯回后繼續工作。
●驅動 LED 輸出顯示充電狀態。
●采用ESOP8封裝。

PT5121

概述
PT5121為USB鎳鎘/鎳氫充電管理IC,現在主要應用的市場為電子玩
具USB充電器。
本芯片為一種高效率、控制穩定可靠的充電管理電路。整個電路通過檢測電
池電壓控制充電電流大小。電路具有0△V 和-△V 快速充電終止方式,保證電
池的充飽率達到100%。芯片設計了一種內置的高精度ADC 可對采樣的電池電壓
和電流進行模數轉換,并輸出數字信號到算術邏輯單元檢測,從而可靠地終止快
速充電。

特性
●給鎳鎘/鎳氫電池1 節-8 節可充電電池充電。
●芯片的工作電壓為5V,供電范圍為2.6V~7.5V。
●芯片設計了內置的10bit ADC 可對采樣的電池電壓和電流進行模數轉換,并
輸出數字信號到算術邏輯單元檢測。
● 充電截止方式采用0△V+ -△V 檢測方式。
●IC 內置自動電流調節器,當升壓電壓升到最大或輸入電壓被拉低時具
有電流自動調節功能,電流自動調節功能會將電流調至一個最大電流。
●IC 內部可以檢測USB 供電電壓大小,當USB 電源電壓被拉低到某個閾值時
會減小充電電流以保護USB 電源的安全,USB 電源電壓升起后再增大充電
電流。
●IC 具有上電輸出短路報警功能,以保證電池、及IC 自身安全。
●IC 內部具有過溫保護功能,當芯片內部溫度過高時會關閉輸出,溫度滯回后
繼續工作。
● 驅動LED 輸出顯示充電狀態。
●采用SOP8 封裝。

PT4055C

概述
PT4055C是一款完整的單節鋰離子電池充電器,可對2.4V鋰電池充電,充電器具有電池正負極反接保護,采用恒定電流/恒定電壓線性控制。其 SOT封裝與較少的外部元件數目使得PT4055C成為便攜式應用的理想選擇。PT4055C可以適合 USB電源和適配器電源工作。
由于采用了內部PMOSFET架構,加上防倒充電路,所以不需要外部檢測電阻器和隔離二極管。熱反饋可對充電電流進行自動調節,以便在大功率操作或高環境溫度條件下對芯片溫度加以限制。充滿電壓會因不同的鋰電池而不同,而充電電流可通過一個電阻器進行外部設置。當電池達到充滿電壓后,充電電流降至設定值 1/10,PT4055C將自動終止充電。 當輸入電壓(交流適配器或USB電源)被拿掉時,PT4055C自動進入一個低電流狀態,電池漏電流在 7uA以下。PT4055C的其他特點包括充電電流監控器、欠壓閉鎖、自動再充電和一個用于指示充電結束和輸入電壓接入的狀態引腳。

特點
●2.4V鋰電池充電
●鋰電池正負極反接保護
●高達600mA的可編程充電電流
●無需MOSFET、檢測電阻器或隔離二極管
用●于單節鋰離子電池?
●恒定電流/恒定電壓操作,并具有可在無過熱危險的情況下實現充電速率最大化的熱調節功能
●可直接從USB端口給單節鋰離子電池充電
●最高輸入可達7V
●精度達到±1%的預設充電電壓
●自動再充電
●1個充電狀態開漏輸出引腳
●C/10充電終止
●待機模式下的供電電流為250uA
●欠壓時涓流充電
●軟啟動限制了浪涌電流
●采用5引腳SOT-23封裝

PT4055B

概述
PT4055B是一款完整的單節鋰離子電池充電器,可對3.2V鋰電池充電,充電器具有電池正負極反接保護,采用恒定電流/恒定電壓線性控制。其 SOT封裝與較少的外部元件數目使得PT4055B成為便攜式應用的理想選擇。PT4055B可以適合 USB電源和適配器電源工作。
由于采用了內部PMOSFET架構,加上防倒充電路,所以不需要外部檢測電阻器和隔離二極管。熱反饋可對充電電流進行自動調節,以便在大功率操作或高環境溫度條件下對芯片溫度加以限制。充滿電壓會因不同的鋰電池而不同,而充電電流可通過一個電阻器進行外部設置。當電池達到充滿電壓后,充電電流降至設定值 1/10,PT4055B將自動終止充電。 當輸入電壓(交流適配器或USB電源)被拿掉時,PT4055B自動進入一個低電流狀態,電池漏電流在 7uA以下。PT4055B的其他特點包括充電電流監控器、欠壓閉鎖、自動再充電和一個用于指示充電結束和輸入電壓接入的狀態引腳。

特點
●3.2V鋰電池充電
●鋰電池正負極反接保護
●高達600mA 的可編程充電電流
●無需MOSFET、檢測電阻器或隔離二極管
●用于單節鋰離子電池
●恒定電流/恒定電壓操作,并具有可在無過熱危險的情況下實現充電速率最大化的熱調節功能
●可直接從USB端口給單節鋰離子電池充電
●最高輸入可達7V
●精度達到±1%的預設充電電壓
●自動再充電
●1個充電狀態開漏輸出引腳
●C/10充電終止
●待機模式下的供電電流為250uA
●欠壓時涓流充電
●軟啟動限制了浪涌電流
●采用 5引腳 SOT-23封裝

應用
●充電座
●蜂窩電話、PDA、MP3播放器
●藍牙應用

PT4055A

概述
PT4055A是一款完整的單節鋰離子電池充電器,可對3.7V鋰電池充電,充電器具有電池正負極反接保護,采用恒定電流/恒定電壓線性控制。其 SOT封裝與較少的外部元件數目使得 PT4055A 成為便攜式應用的理想選擇。PT4055A可以適合 USB電源和適配器電源工作。
由于采用了內部PMOSFET架構,加上防倒充電路,所以不需要外部檢測電阻器和隔離二極管。熱反饋可對充電電流進行自動調節,以便在大功率操作或高環境溫度條件下對芯片溫度加以限制。充滿電壓會因不同的鋰電池而不同,而充電電流可通過一個電阻器進行外部設置。當電池達到充滿電壓后,充電電流降至設定值 1/10,PT4055A 將自動終止充電。 當輸入電壓(交流適配器或USB電源)被拿掉時,PT4055A自動進入一個低電流狀態,電池漏電流在 7uA以下。PT4055A的其他特點包括充電電流監控器、欠壓閉鎖、自動再充電和一個用于指示充電結束和輸入電壓接入的狀態引腳。

特點
●3.7V鋰電池充電
●鋰電池正負極反接保護;
●高達600mA的可編程充電電流;
●無需MOSFET、檢測電阻器或隔離二極管;
●用于單節鋰離子電池;
●恒定電流/恒定電壓操作,并具有可在無過熱危險的情況下實現充電速率最大化的熱調節功能;
●可直接從USB端口給單節鋰離子電池充電;
●最高輸入可達7V;
●精度達到±1%的預設充電電壓;
●自動再充電;
●1個充電狀態開漏輸出引腳;
●C/10充電終止;
●待機模式下的供電電流為250uA;
●欠壓時涓流充電;
●軟啟動限制了浪涌電流;
●采用5引腳 SOT-23封裝;

應用
●充電座
●蜂窩電話、PDA、MP3播放器
●藍牙應用

PT8223

概述
PT8223 是一款單按鍵觸摸及接近感應開關,其用途是替代傳統的機械型開關。該IC 采用CMOS 工藝制造,結構簡單,性能穩定。該IC 通過引腳可配置成多種模式,可廣泛應用于燈光控制、玩具、家用電器等產品。

特點
◆ 工作電壓:2.0V~5.5V
◆ 最高功耗11.5uA,低功耗模式僅1.5uA(均指在3V 且無負載)
◆ 外部配置引腳設置為多種模式
◆ 高可靠性,芯片內置去抖動電路,可有效防止外部噪聲干擾而導致的誤動作
◆ 可用于玻璃、陶瓷、塑料等介質表面

PT8112

概述
PT8112是一款基于SuperCharge 2.0(SC 2.0)快速充電協議的接口控制器IC,可自動識別充電設備類型,并通過充電協議與設備握手,使之獲得設備允許的安全最大功率,在保護充電設備的前提下節省充電時間。 支持Quick Charge 2.0、Turbo Charge 2.0、Rapid Charge 2.0及BC1.2。

特點
a.完全兼容QC 2.0快速充電協議規范
◆A類:5V、9V及12V輸出電壓
◆B類:5V、9V、12V及20V輸出電壓
◆可選12V或20V輸出限制

b.兼容USB充電規范BC1.2
◆支持USB充電規范DCP模式
◆默認5V模式工作

c.待機功耗低
◆5 V輸出電壓時低于350uW

d.可靠的保護功能
◆引腳間短路保護
◆引腳開路保護及電路故障保護

e.封裝形式:SOP8/SOT23-6

PT8002

產品概述
PT8002是雙通道USB專用充電端口(DCP) (BC1.2)控制器。擁有自動檢測特性實時監控USB數據線電壓,并且自動在數據線上提供正確的電壓特性,來為下列專用充電配置提供兼容性充電:
1.Apple Divider DCP,要求在D+和D-線路上均施加2.7v電壓
2.BC1.2 DCP,要求將D+線路短接至D-線路
3.中國電信標準YD/T 1591-2009短接模式,要求將D+線路短接至D-線路
4.Samsung DCP,要求D+線路和D-線路上的電壓均為1.2V

功能特性
●雙USB充電端口控制器
●工作電壓范圍4.5v至5.5v
●依照USB電池充電技術規格BC1.2,支持USB DCP D+線路短接至D-線路
●依照中國電信標準YD/T 1591-2009短接模式,支持短接模式(支持D+線路短接至D-線路)
●支持D+和D-線路上均施加2.7v電壓的USB DCP
●支持在D+和D-線路上施加1.2v電壓的USB DCP
●自動為連接的受電設備切換D+和D-線路連接
●采用SOT23-6封裝

應用領域
●車載USB電源充電器
●帶有USB端口的交流(AC)-直流(DC)適配器
●移動電源
●移動上網設備USB端口
●其他USB充電器

PT8001

產品概述
PT8001是單通道 單通道USB專用充電端口(DCP)? (BC1.2)控制器。擁有自動檢測特性實時監控USB數據線電壓,并且自動在數據線上提供正確的電氣特性,來為下列專用充電配置提供兼容性充電:
1.分壓器1 DCP,要求在D+和D-線路上施加2v和2.7v電壓
2.分壓器2 DCP,要求在D+和D-線路上均施加2.7v電壓
3.BC1.2 DCP,要求將D+線路短接至D-線路
4.中國電信標準YD/T 1591-2009短接模式,要求將D+線路短接至D-線路
5.Samsung DCP,要求D+線路和D-線路上的電壓均為1.2V

功能特性
●單USB端口控制器
●工作電壓范圍4.5v至5.5v
●依照USB電池充電技術規格BC1.2,支持USB DCP D+線路短接至D-線路
●依照中國電信標準YD/T 1591-2009,支持短接模式(支持D+線路短接至D-線路)
●支持在D+和D-線路上均施加2.7v電壓的USB DCP(或者是在D+線路上施加2v電壓),在D-線路上施加2.7v電壓的USB DCP)
●支持在D+和D-線路上施加1.2v電壓的USB DCP
●自動為連接的器件切換D+和D-線路連接
●采用SOT23-5封裝

應用領域
●車載USB電源充電器
●帶有USB端口的交流(AC)-直流(DC)適配器
●移動電源
●移動上網設備USB端口
●其他USB充電器

PT7738

DESCRIPTION
The PT7738 is a high performance PWM
controller for offline flyback power converter
application, with constant voltage. The PT7738
series are enhanced high efficient multi-mode
PWM flyback controller. PT7738 operates at
Continuous Conduction Mode (CCM) and
achieve highest average efficiency, fast dynamic
load response and ultra-low standby power.
PT7738 satisfy DoE Level VI requirements with
production margin.

PT7200X

概述
PT7200是一款恒壓、恒流的原邊反饋控制芯片,內在VCBO為800V的功率三極管,適用于充電器和適配器
PT7200采用特有的輸出線損補償技術,可以有效的補償輸出電流在輸出線上的損耗壓降。
PT7200是最新一代的恒壓、恒流控制芯片,優化了動態響應和驅動等性能,能做更大的輸出功率。
PT7200具有多重保護功能,包括開路保護,過壓保護,短路保護功能等。

特點
●內置800V功率BJT
●高效率準諧振一次側調節控制(PSR-QR)
●無需外部電容補償
●恒壓恒流精度高
●可編程線損補償
●過溫保護(OTP)
●過壓保護和鉗位(OVP)短路保護(SLP)
●輸出電壓保護(OVP&CIamp)
●低待機功耗≦75mW
●采用SOP-7封裝

應用
●充電器/適配器
●線性電源
●LED電源

PT2783

概述
PT2783是一款恒壓、恒流的原邊反饋控制芯片,內置 VCBO 為 800V 的功率三極管,適用于充電器和適配器。
PT2783采用特有的輸出線損補償技術,可以有效的補償輸出電流在輸出線上的損耗壓降。
PT2783是 最新一代的恒壓、恒流控制芯片,動態響應和驅動等性能 ,能做更大的輸出功率。
PT2783具有多重保護功能,包括開路保護,過壓保護,短路保護功能等。

特點
●內置 800V 功率 BJT
●高效率準諧振一次側調節控制(PSR-QR)
●無需外部電容補償
●恒壓恒流精度高
●可編程線損補償
●過溫保護(OTP)
●過壓保護和鉗位(OVP)短路保護(SLP)
●輸出電壓保護(OVP&Clamp)
●低待機功耗≦75mW
●采用SOP-7封裝

應用
●充電器/適配器
●線性電源
●LED電源

PT2773X

概述
PT2773X是一款高效率低功耗反激式開關變換器。用于小功率充電器和適配器,內部集成850V功率三極管。采用開關頻率和初級電流峰值振幅(FM和AM)多模式技術,保證了全載和線性范圍內的較高的效率。
PT2773X提供精確的恒定電壓,恒定電流(CV / CC)不需要光耦合器和二次控制電路調節。它也消除了環路補償電路的需要,同時保持良好的穩定性。PT2773X可以實現良好的調節和較高的平均效率,滿足空載損耗小于75mW。
PT2773X恒壓模式下的線纜補償以及恒流模式下的線電壓補償和負載補償保證了恒壓恒流環路的穩定度和高性能。

特點
●原邊反饋控制高精度恒流、恒壓
●75mW待機功耗
●內置850V三極管
●內置線電壓補償、負載補償和恒流補償
●可調線損補償
●過溫補償(OTP)
●輸出電壓保護(OVP)、短路保護(SLP)
●VCC過壓保護和鉗位(OVP/Clamp)

應用
●手機、無繩電話、PDA、MP3和其他便攜式設備等適配器、電池充電器
●LED驅動電源
●線性電源和RCC開關電源升級換代的最佳選擇
●備用供電電源等

PT7018

概述
PT7018是一款超低系統成本的高精度LED 恒流驅動芯片,適合于85V-265V 全范圍交流輸入電壓的非隔離降壓型LED 恒流電源系統。
PT7018采用500V 單芯片集成功率MOSFET,只需要很少的外圍元件,即可實現優異的恒流特性。
PT7018芯片內帶有高精度的電流取樣電路,同時采用了先進的恒流控制技術,實現高精度的LED 恒流輸出和優異的線性調整率。芯片工作在電感電流臨界模式,系統輸出電流不隨電感量和LED 工作電壓的變化而變化,實現優異的負載調整率。
PT7018具有多重保護功能,包括逐周期電流限制保護(OCP),LED 短路保護,VDD 欠壓保護,智能溫控,管腳浮空保護等。
PT7018提供SOP8/TO-92/SOT23-3 封裝。

特點
●500V單芯片集成電路,極少的外圍元件
●SOP8/TO-92/SOT23-3 封裝,空間高度節省
●臨界模式工作,無需電感補償
●芯片自供電,無需啟動電阻等供電元件
●高達±5%的LED 電流精度
●LED 短路保護
●智能溫度控制技術,避免高溫燈閃
●徹底杜絕關燈回閃
●引腳懸空保護

應用
●球泡燈/蠟燭燈/玉米燈
●吸頂燈/T5/T8 燈管

PT7015

概述
PT7015是一款超低系統成本的高精度LED 恒流驅動芯片,適合于85V-265V 全范圍交流輸入電壓的非隔離降壓型LED 恒流電源系統。
PT7015是一款內置500V 功率管的單芯片集成電路,只需要很少的外圍元件,即可實現優異的恒流特性。
PT7015芯片內帶有高精度的電流取樣電路,同時采用了先進的恒流控制技術,實現高精度的LED 恒流輸出和優異的線性調整率。芯片工作在電感電流臨界模式,系統輸出電流不隨電感量和LED 工作電壓的變化而變化,實現優異的負載調整率。
PT7015具有多重保護功能,包括逐周期電流限制保護(OCP),LED 短路保護,VDD 欠壓保護以及嵌位,智能溫控等。
PT7015采用SOP-8/TO-92/SOT23-3 封裝。

特點
●內置500V功率管的單芯片集成電路
●電感電流臨界模式工作
●集成高壓供電
●無需啟動電阻、輔助繞組等供電元件
● 高達±5%的LED 電流精度
● LED 短路保護
●過熱調節功能
●吸頂燈/T5/T8燈管
●球泡燈/蠟燭燈/玉米燈

應用
●吸頂燈/T5/T8燈管
●球泡燈/蠟燭燈/玉米燈

PT5000

概述
PT5000 是一款內置100V 功率MOS高效率、高精度的開關降壓型大功率LED
恒流驅動芯片。
PT5000 采用固定關斷時間的峰值電流控制方式,關斷時間可通過外部電容進
行調節,工作頻率可根據用戶要求而改變。
PT5000 通過調節外置的電流采樣電阻,能控制高亮度LED 燈的驅動電流,使
LED 燈亮度達到預期恒定亮度。在DIM 端加PWM 信號,可以進行LED 燈調光。DIM 端同時支持線性調光。
PT5000 內部還集成了VDD穩壓管以及過溫保護電路等,減少外圍元件并提高
系統可靠性。
PT5000 采用ESOP8 封裝。散熱片內置接SW 腳。

特點
●內置100V MOS
●寬輸入電壓范圍:3.6V~100V
●高效率:可高達93%
●支持PWM 調光和線性調光
●最大工作頻率:1MHz
●CS 電壓:250mV
●芯片供電欠壓保護:3.2V
●關斷時間可調
●智能過溫保護
●內置VDD 穩壓管

應用
●自行車、電動車、摩托車燈
●強光手電
●LED 射燈
●大功率LED 照明
●LED 背光

PT3122X

概述
PT3122X是一款高精度原邊反饋LED 恒流驅動芯片,芯片工作在電感電流斷續模式,適用于全范圍輸入電壓,功率5W 以下的反激式隔離LED 恒流電源。
PT3122X芯片內部集成650V 功率開關,采用原邊反饋模式,無需次級反饋電路,也無需變壓器輔助繞組檢測和供電,只需要極少的外圍元件即可實現恒流,極大地節約了系統的成本和體積。
PT3122X芯片內帶有高精度的電流取樣電路,使得LED輸出電流精度達到±5%以內。芯片采用了特有的恒流控制方式,可以達到優異的線性調整率。
PT3122X提供了多種全面的保護模式,其中包括:逐周期電流限制保護(OCP),LED 開路/短路保護,CS 電阻短路保護,VCC 欠壓保護以及嵌位,過溫保護等。
PT3122X采用SOP7 封裝。

特點
● 內部集成650V 功率管
● 原邊反饋技術,無需次級反饋電路
● 無需變壓器輔助繞組檢測和供電
●極低的工作電流
● LED 電流精度保持在±5%以內
●LED 開路/短路保護
● CS 電阻短路保護
● 原邊過流保護
● VCC 欠壓保護
●動態的溫度補償技術


應用
●GU10 LED 射燈
● LED 球泡燈
●其它LED 照明
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服務熱線

0755-83261369

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